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据交大新闻网报谈，该校材料学院材料改造联想中心周健阐明对于太赫兹光照对材料热力学性质影响的表面，有多项推崇发表在刊物上。

当今，低维量子材料偏激原子/电子结构在外场作用下的相变，受到了物理学家、化学家、材料学家们的粗鄙和顺，其中又以低频光场对半导体材料结构和性质的影响为典型。

周健阐明与国表里巨匠配合小萝莉渔网袜自慰流水，苛刻了太赫兹光照对材料热力学性质影响的表面，给出了太赫兹光照下材料结构相变的公式。商量责任以“Terahertz Driven Phase Transition in Two-Dimensional Multiferroics”为题发表在近期出书的 npj 2D Materials and Applications 上。

与此同期，他们还指出太赫兹光照不错终了快速、无损地终了过渡金属二硫化物(TMDC)单层结构在H和T’之间的相变，并预言了光频率、强度、偏振标的对两种相显露性的影响，苛刻了拓扑相变有盘算(图2)，以及通过表面分析和分子能源学商榷，指出这种有盘算具有产热小、反应快、易调控等优点。商榷发表于近期出书的 Advanced Science上。