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在曩昔十年中,数据中心以太网交换机的容量从 0.64 Tbps 飙升至 25.6 Tbps,这成绩于 64×400 Gbps 或 32×800 Gbps 可插拔光收发器模块的接受。然而,这些高速模块在现在的外形尺寸内带来了紧要挑战。问题包括所需的电气和光学聚合器密度,以及不休飞腾的功耗。
为了竣事因循每模块 800 Gbps 及以上的下一代光学引擎,通讯速度必须翻倍至每通谈至少 100 Gbps。这种增多在交换机插座、主板和边际聚合器中引入了严重的信号齐备性问题,导致 SerDes 接口的功耗增多。在畴昔的以太网交换中,这些信号齐备性问题可能会导致 I/O 功耗进步交换机中枢的功耗。此外,圭臬可插拔模块的集成密度受到 QSFP/OSFP 外形尺寸的放荡,因此需要尚未正常使用的高等热管清醒决决策。
共封装光学器件 (CPO) 为这些挑战提供了一种有但愿的贬责决策。与传统的可插拔模子不同,CPO 将光学模块顺利集成到交换机 ASIC 基板上,从而减少了电气范围并有用贬责了信号齐备性问题。这种顺序在主要数据中心中赢得了温情。然而,优化 CPO 的封装政策仍然是行业抓续盘考和发展的话题。
先进半导体封装技能对共封装光学器件 (CPO) 的紧迫性
数据中心中 CPO 的集成旨在擢升 I/O 带宽并降拘泥耗。光子集成电路 (PIC) 与电子集成电路 (EIC) 和开关 IC 的联接风光会权贵影响面积和边际带宽密度以及封装寄成功应。这些要素顺利影响收发器的 I/O 带宽和能效,这意味着不符合的集成会对消硅光子学的上风。
关于 CPO,光子和电子元件的集成不错通过多样顺序竣事,每种顺序王人有独到的上风和挑战。起始进的、仍处于研发阶段的是 3D 单片集成。这将光子元件镶嵌到现存的电子工艺节点中真实迷奸女高中生,只需进行最少的窜改,将有源光子和脱手电子元件共置在合并芯片内。这减少了寄成功应,并通过摈弃对接口焊盘和凸块的需求简化了封装。然而,单片集成每每使用较旧的 CMOS 节点,导致光子性能不睬思且能耗较高。尽管存在这些放荡,但它提供了最小的阻抗失配和简化的封装。
相背,2D 集成将 PIC 和 EIC 比肩扬弃在 PCB 上,通过引线键合或倒装芯片聚合。这种顺序通俗且经济高效,但会引入权贵的寄生电感,由于单边聚合而放荡总 I/O。天然 2D 集成易于封装,但对引线键合的依赖会放荡收发器带宽并增多能耗,使其关于高性能运用成果较低。
瑶瑶系列3D 混书册成通过多样先进的半导体封装技能(包括硅通孔 (TSV)、高密度扇出、Cu-Cu 羼杂键合和有源光子中介层)将 EIC 置于 PIC 之上,从而提供更先进的贬责决策,权贵减少寄成功应。在 3D 集成中使用先进的半导体封装技能不错竣事密集间距功能,从而擢升性能。然而,散热仍然是一个挑战,因为 EIC 产生的热量会影响 PIC,因此需要先进的热管清醒决决策。尽管存在这些热挑战,但由于封装寄成功应最小化,3D 混书册成仍可竣事更高的性能。
2.5D 集成是一种折衷决策,EIC 和 PIC 王人通过 TSV 倒装到无源中介层上。这种顺序保抓了与 3D 集成访佛的可控寄生和密集间距才调,但由于需要中介层走线而增多了复杂性。天然 2.5D 集成均衡了性能、资本和制造周期,但它比 3D 混书册成会产生更高的寄生。
总之,每种集陈顺序王人存在性能、复杂性和资本之间的量度,需要凭证特定的运用要乞降放荡进行聘用。
共封装光学器件 (CPO) 市集走势
据 IDTechEx 称,到 2035 年,共封装光学器件 (CPO) 市集范围预测将进步 12 亿好意思元 ,从 2025 年到 2035 年,复合年增长率将达到 28.9%。CPO 汇聚交换机预测将成为收入开头中的主导,因为每个交换机可能集成多达 16 个 CPO PIC。东谈主工智能系统的光学互连将占市集的约 20%,每个东谈主工智能加快器每每使用一个光学互连 PIC 来昂扬高等狡计运用中对高速数据处理和通讯日益增长的需求。
https://www.semiconductor-digest.com/idtechex-discusses-co-packaged-optics-cpo-packaging-technology-trends-and-market-trajectory/
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